半導体プロセス・デバイス技術セミナープログラム全6回（各回を選んで受講）1回5時間
第1回 材料・ウェハ製造とプロセスの概要 （済）
第2回　前工程　2025年12月23日（火）
　　（受講者受付中）12月19日（金）13:00締め切り
第3回　ユーティリティ　2026年  1月20日
第4回　後工程　　　　　2026年 2月24日
第5回　最新実装・中工程技術　2026年3月24日
第6回　デバイス設計入門　　　2026年4月21日

開催日：2025年12月23日（火）
時間：　10：30～16：30（5時間）
受講料：30,000円/1人
第2回　前工程：フォト・洗浄・酸化拡散・イオン注入・成膜・エッチング・CMP・ウェハテスト

第2回申し込み受付中 　申し込み期限12月19日(金)13:00まで（お早めにお申し込みください）
オンライン講座（Zoom）　2025年12月23日(火) 10:30 – 16:30　
■ ねらい：フォト工程からウェハテストまでシリコンプロセスの基礎を学ぶ。
内容構成
0．前回までの復習（前回受講出来なかった方のために簡単な導入を行います）
　 （１）基本プロセス
　 （２）プロセスのパターン
　 （３）バイポーラプロセスフロー概略
　 （４）CMOSプロセスフロー概略
１．フォトリソグラフィー工程
       １－１．フォトリソグラフィーとは
       １－２．フォトリソグラフィー工程の説明
       １－３．レンズ系の解像力と焦点深度
       １－４．露光用光源
       １－５．各種露光方式
       １－６．レジストコーターとデベロッパー
       １－７．フォトレジスト
       １－８．レチクル（マスク）とペリクル
       １－９．超解像
       １－１０．近接効果補正
       １－１１．フォト工程の不良例
　　　　※演習問題
２．洗浄工程とウェットエッチング工程
       ２－１．ウェットプロセスの概要
       ２－２．ウェットエッチング
３．酸化・拡散工程
       ３－１．目的と原理
       ３－２．ドライ酸化とウェット酸化
       ３－３．酸化の法則
       ３－４．その他の酸化
       ３－５．酸化・拡散装置
       ３－６．縦型拡散炉の特徴
       ３－７．選択酸化
       ３－８．ランピング
       ３－９．測定装置
       ３－１０．熱電対の種類
       ３－１１．酸化膜の色と膜厚の関係
４．イオン注入工
　  ４－１．イオン注入の目的と原理
　  ４－２．イオン注入工程の概要
　  ４－３．イオン注入装置
　  ４－４．イオン注入装置の各部名称
　  ４－５．イオン注入で起こる問題
５．CVD工程
      ５－１．CVDの原理
      ５－２．プラズマのまとめ
      ５－３．各種CVD
      ５－４．CVD装置外観
      ５－５．減圧CVDとステップカバレッジ
      ５－６．原子層堆積（ALD）
６．スパッタ工程
      ６－１．スパッタの基礎
      ６－２．各種スパッタ法
７．ドライエッチング工程
      ７－１．ドライエッチングの原理と目的
      ７－２．等方性と異方性
      ７－３．ドライエッチング工程の概要
      ７－４．プラズマエッチングと反応性ドライエッチング
      ７－５．ドライエッチングガス
      ７－６．反応性イオンエッチング
      ７－７．ECRエッチング
      ７－８．ケミカルドライエッチング
      ７－９．アスペクト比
      ７－１０．選択比
      ７－１１．ローディング効果
      ７－１２．終点検出
８．エピタキシャル成長
　 ８－１．エピタキシャル成長の基本
　 ８－２．ヘテロエピタキシャル成長
９．CMP工程
　 ９－１．CMP工程概要
　 ９－２．装置概要
　 ９－３．各部名称と機能・目的
　 ９－４．CMP適用工程例
１０．電気検査
　１０－１．はじめに
　１０－２．ウェハテストとプローブ検査