駒形技術士事務所 オンラインセミナー

第6回|デバイス設計入門と産業動向

開催日:2026年4月21日(火)(ご要望により、申込み締切を4月20日(月)18:00まで延長しました
※先着40名限定のため、定員に達し次第締切となります)

時間:10:30~16:30(途中休憩・昼休憩あり/講義+質疑 ※講義時間:約5時間)
形式:オンライン講座(Zoom)
受講料:30,000円/1名(税込)

※約1分で申込完了します。
※オンラインでどこからでも受講可能です。

第6回では、半導体デバイス設計の基礎から先端技術、さらに産業動向までを体系的に整理し、実務に直結する知識として理解することを目的とします。
シリコン結晶の基礎物性、バンド構造、PN接合、MOS構造を出発点に、パワーデバイス、FinFET、GAA、ナノシートなど最新トランジスタ構造まで、一貫した流れで解説します。
また、プロセスフロー、歩留まり管理、量産技術、国際競争力、技術者育成といった視点から、半導体産業全体の構造と課題についても整理します。
デバイスの「原理」「設計思想」「産業的背景」を結び付けて理解したい方に最適な内容です。
基礎から最新動向までを俯瞰的に学べる講座となっておりますので、ぜひご参加ください。

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    プログラム

    1.シリコン半導体基礎
     1-1.結晶構造
     1-2.結晶方位
     1-3.物性定数
    2.電子とバンド構造
     2-1.量子化
     2-2.バンド構造
     2-3.フェルミ準位
     2-4.キャリア分布
    3.ドーピングと抵抗
     3-1.N形・P形
     3-2.ドーパント
     3-3.シート抵抗
    4.遷移特性
     4-1.間接遷移
     4-2.直接遷移
     4-3.物性比較
    5.キャリア輸送現象
     5-1.ドリフト
     5-2.拡散
     5-3.移動度
     5-4.拡散長
    6.金属接続
     6-1.仕事関数
     6-2.ショットキー接触
     6-3.オーミック接触
    7.PN接合
     7-1.空乏層
     7-2.電界分布
     7-3.電位分布
    8.PN接合特性
     8-1.I-V特性
     8-2.降伏現象
     8-3.耐圧設計
     8-4.パンチスルー
    9.バイポーラトランジスタ
     9-1.動作原理
     9-2.増幅特性
     9-3.耐圧特性

    10.MOS基礎
     10-1.空乏層形成
     10-2.反転層形成
     10-3.しきい値電圧
    11.MOS特性
     11-1.線形領域
     11-2.飽和領域
     11-3.モデル化
    12.アイソレーション
     12-1.寄生MOS
     12-2.対策技術
    13.パワーデバイス
     13-1.縦型MOS
     13-2.スーパージャンクション
     13-3.SiC・GaN
    14.MOS技術の進化
     14-1.CMOS技術
     14-2.微細化技術
     14-3.3次元構造
    15.プロセスフロー
     15-1.基本工程
     15-2.LDDプロセス
    16.最新MOS構造
     16-1.FinFET
     16-2.GAA
     16-3.ナノシート
    17.最新MOSへのアプローチ
     17-1.FinFET/GAA/NS比較
     17-2.電界制御と実効幅
    18.設計・装置・材料動向
     19-1.回路設計自動化
     19-2.製造装置・材料産業
    19.半導体技術者の育成と将来
     20-1.技術習得法
     20-2.技術者に求められる資質
     20-3.今後の展望

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