駒形技術士事務所　オンラインセミナー

第6回｜デバイス設計入門と産業動向

第6回では、半導体デバイス設計の基礎から先端技術、さらに産業動向までを体系的に整理し、実務に直結する知識として理解することを目的とします。
シリコン結晶の基礎物性、バンド構造、PN接合、MOS構造を出発点に、パワーデバイス、FinFET、GAA、ナノシートなど最新トランジスタ構造まで、一貫した流れで解説します。
また、プロセスフロー、歩留まり管理、量産技術、国際競争力、技術者育成といった視点から、半導体産業全体の構造と課題についても整理します。
デバイスの「原理」「設計思想」「産業的背景」を結び付けて理解したい方に最適な内容です。
基礎から最新動向までを俯瞰的に学べる講座となっておりますので、ぜひご参加ください。

1．シリコン半導体基礎
　1-1．結晶構造
　1-2．結晶方位
　1-3．物性定数
2．電子とバンド構造
　2-1．量子化
　2-2．バンド構造
　2-3．フェルミ準位
　2-4．キャリア分布
3．ドーピングと抵抗
　3-1．N形・P形
　3-2．ドーパント
　3-3．シート抵抗
4．遷移特性
　4-1．間接遷移
　4-2．直接遷移
　4-3．物性比較
5．キャリア輸送現象
　5-1．ドリフト
　5-2．拡散
　5-3．移動度
　5-4．拡散長
6．金属接続
　6-1．仕事関数
　6-2．ショットキー接触
　6-3．オーミック接触
7．PN接合
　7-1．空乏層
　7-2．電界分布
　7-3．電位分布
8．PN接合特性
　8-1．I-V特性
　8-2．降伏現象
　8-3．耐圧設計
　8-4．パンチスルー
9．接合容量
　9-1．容量特性
　9-2．容量計算
10．バイポーラトランジスタ
　10-1．動作原理
　10-2．増幅特性
　10-3．耐圧特性
11．不純物濃度評価
　11-1．濃度推定法
　11-2．抵抗率法
12．MOS基礎
　12-1．空乏層形成
　12-2．反転層形成
　12-3．しきい値電圧
13．MOS特性
　13-1．線形領域
　13-2．飽和領域
　13-3．モデル化
14．アイソレーション
　14-1．寄生MOS
　14-2．対策技術
15．パワーデバイス
　15-1．縦型MOS
　15-2．スーパージャンクション
　15-3．SiC・GaN
16．MOS技術の進化
　16-1．CMOS技術
　16-2．微細化技術
　16-3．3次元構造
17．プロセスフロー
　17-1．基本工程
　17-2．LDDプロセス
18．最新MOS構造
　18-1．FinFET
　18-2．GAA
　18-3．ナノシート
19．最新MOSへのアプローチ
　19-1．FinFET／GAA／NS比較
　19-2．電界制御と実効幅
　19-3．容量特性評価
20．半導体技術の特徴と産業構造
　20-1．歩留まりと均一性
　20-2．信頼性とTEG
　20-3．TATと工場運営
　20-4．失敗事例分析
21．製造方式と開発戦略
22．最先端プロセスと応用分野
23．設計・装置・材料動向
　23-1．回路設計自動化
　23-2．製造装置・材料産業
24．半導体技術者の育成と将来
　24-1．技術習得法
　24-2．技術者に求められる資質
　24-3．今後の展望